半導体09.19 EE Times Japan レゾナック、300mm SiC基板を開発。ロームはBMWの次世代EVに採用 9月14〜18日のエレクトロニクス業界では、SiCパワー半導体で日本勢の動きが目立った。レゾナックは直径300mmのSiC単結晶の成長と基板加工に成功し、ロームはBMWの次世代EV「Neue …
半導体09.17 EE Times Japan ローム、BMW次世代EV「Neue Klasse」にSiC半導体を採用 ロームは2026年9月17日、BMWの次世代電気自動車（EV）コンセプト「Neue Klasse（ノイエ・クラッセ）」の電動パワートレインに、同社の炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が採用された…
