レゾナック、300mm SiC基板を開発。ロームはBMWの次世代EVに採用

EE Times Japanが9月14〜18日のエレクトロニクス業界の動きを振り返った。パワー半導体、メモリ、AIインフラと幅広い話題の中で、SiC（炭化ケイ素）では材料と用途の両面で日本企業の発表が続いた。

レゾナックは9月15日、直径300mmのSiC単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板は150mm（6インチ）から200mm（8インチ）への移行が本格化している段階で、その先の300mm品については中国や米国のメーカーがすでに開発成果を示していた。今回、日本メーカーからも300mm品の成果が出た形だ。レゾナックはこれを、SiC基板とエピウエハーの大口径化と高品質化に向けた「重要な技術的マイルストーン」と位置付けている。

ロームは9月17日、BMWの次世代EVコンセプト「Neue Klasse」の電動パワートレインに自社のSiCパワー半導体が採用されたと発表した。ロームは車載インバーター向けを軸にSiC事業を強化しており、2025年6月にはトヨタ自動車の中国市場向けBEV「bZ5」への採用も発表している。

SiCはシリコンに比べて高い電圧や温度に強く、EVの電力変換で損失を減らせる材料として使われる。基板の大口径化は、1枚のウエハーから取れるチップ数を増やし、コストを下げる基本的な手段だ。上流の基板と下流の車載採用が同じ週に並んだことは、日本のSiCサプライチェーンの厚みを示している。

メモリ分野では、Infineon TechnologiesがNORフラッシュ／FRAM（強誘電体メモリ）事業を台湾のWinbond Electronicsに11億2,000万ドルで売却すると発表した。買収後は独立した事業体として運営し、かつてのNORフラッシュ大手の名である「Spansion」を社名に使う予定だ。また、SK hynixとIntelが米国内でのメモリ生産を協議しているとReutersが9月16日に報じた。IntelのオハイオFabの一部を借りる案や、大手クラウド企業を交えた合弁会社の設立案が検討されているという。SK hynixは、具体的に決まったことはないと説明している。

AIインフラ関連では、シャープがNVIDIAの技術を搭載したAIサーバーで国内市場に参入すると発表した。NTTはサブテラヘルツ帯を使い、100mの距離で毎秒2テラビットの無線伝送を実証した。AIデータセンターへの応用を見据えたもので、計算基盤だけでなく通信の大容量化も進んでいる。