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Micron、4F2型DRAMの開発を中止。20年の研究に区切り

Tom's Hardware によると、Micron は約 20 年研究してきた次世代 DRAM 構造「4F2」の開発をやめる方針に転じた。同社は、この構造には意味のある密度上の利点がなく、製造の複雑さとコストを増やし、微細化にも根本的な限界があると説明したという。今後の DRAM の高密度化をどの方式で進めるのかは見出しからは分からない。メモリ業界の技術ロードマップに影響する判断とみられる。

Tom's Hardware が報じたところでは、Micron は将来の DRAM に向けて約 20 年にわたり研究してきた「4F2」構造の開発を打ち切った。同誌は「劇的な方針転換」と伝えている。

記事 URL に含まれる要旨によると、Micron は 4F2 について、意味のある密度上の利点がないこと、製造の複雑さとコストを増やすこと、微細化に根本的な限界があることを理由に挙げた。代わりにどの方式で高密度化を進めるのか、開発中止がいつの製品世代に関わるのかは確認できていない。

4F2 は、メモリセル 1 個が占める面積を、配線の最小寸法 F を基準に 4F² まで縮める構造を指す。現在主流の DRAM より小さなセルで同じ容量を実現できるため、チップあたりの容量を増やす有力な手段の一つとされてきた。

長年の研究テーマを「利点がない」として手放すのは、DRAM の微細化が平面上の工夫だけでは進みにくくなっていることを示すとみられる。AI 向けに HBM などの大容量メモリ需要が増す中で、メモリ各社が次の高密度化にどの技術を選ぶかは、供給量とコストの両面で注目される。

出典 — Tom's Hardware

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