Infineon、「世界初」の300mm GaNパワー半導体量産施設を新設へ

Infineonが、300mmウエハーを使う窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産施設を新設すると、EE Times Japanが報じた。同社はこの施設を「世界初」としている。建設地や投資額、稼働の時期は、今回の材料からは確認できない。

GaNは、シリコンに比べて高い電圧と速いスイッチングに強い材料で、充電器やデータセンターの電源、車載機器などで電力の損失を減らせる。課題はコストで、ウエハーを大きくすれば1枚から取れるチップの数が増え、1個あたりの製造コストを下げやすくなる。300mmはシリコンの先端工場で使われている大きさで、GaNで量産まで持ち込むのは技術的なハードルが高いとされてきた。

量産が実現すれば、GaNがシリコン製のパワー半導体と価格で競える範囲が広がるとみられる。AIデータセンターでは電力の効率が大きな課題になっており、電源部品の効率を上げる材料の供給が増えることには意味がある。