Musk氏のTerafab、ASMLのEUV装置を2027年半ばに初導入へ

イーロン・マスク氏の半導体工場構想「Terafab」が、ASML から最初の EUV（極端紫外線）露光装置を 2027 年半ばに受け取る見通しだという。Tom's Hardware が報道として伝えた。

同記事の URL によれば、Terafab は実験的な施設として建設が続いており、その完成までのしばらくの間、最先端のスキャナーが使われないまま置かれる可能性がある。

現時点で入手できているのは見出しと URL の内容のみで、導入する装置の台数や機種、Terafab で製造するチップの種類、量産を始める時期は確認できていない。

EUV 露光装置は最先端の微細なチップを作るのに欠かせない装置で、ASML が事実上独占的に供給している。装置を手に入れても、クリーンルームなどの施設が整わなければ動かせない。今回の報道は、装置の調達よりも工場そのものの立ち上げが律速になっている状況を示しているとみられる。

新規参入者が最先端の半導体製造に乗り出すには、装置だけでなく、施設、人材、製造ノウハウのすべてが要る。Terafab がどこまで計画どおりに進むかは、AI チップの供給先が多様化するかどうかを占う材料の一つになる。