半導体09.19 EE Times Japan レゾナック、300mm SiC基板を開発。ロームはBMWの次世代EVに採用 9月14〜18日のエレクトロニクス業界では、SiCパワー半導体で日本勢の動きが目立った。レゾナックは直径300mmのSiC単結晶の成長と基板加工に成功し、ロームはBMWの次世代EV「Neue …
