GaN半導体、量産と高耐圧化が次の段階へ。300mm工場や900V品も

EE Times JapanによるとGaN（窒化ガリウム）半導体は、量産と高耐圧化の両面で次の段階に進もうとしている。見出しには、300mmの工場と900Vの製品が具体例として挙げられている。

確認できたのは見出しの範囲で、どの企業の工場や製品を指すのかは分からない。工場の稼働時期や生産能力、900V品の用途や価格も、今回の材料からは読み取れない。

技術面では、300mmはウエハーの直径を指すとみられる。ウエハーが大きくなれば1枚から取れるチップの数が増えるため、量産のコストを下げる方向に働くと考えられる。900Vは製品が耐えられる電圧を指すとみられ、高い電圧を扱う用途への広がりにつながる可能性がある。

意味合いとしては、生産の規模と適用できる範囲の両方が広がれば、GaNを採用できる場面が増えるとみられる。具体的な企業と時期、製品の価格が次の確認点になる。