Micron、400層超の次世代3D NANDを開発。ビット密度を2倍に

Tom's Hardware は、Micron の次世代 3D NAND が 400 層を超える積層によりビット密度を 2 倍に高めると報じた。記事の URL によると、この世代は「G11」と呼ばれ、1 平方ミリメートルあたり 42 ギガビットの記録密度と、5,400MT/s のインターフェース速度を掲げている。

入手できているのは見出しと URL のみで、正確な層数、密度が 2 倍になる比較対象の世代、量産開始の時期、最初に搭載される製品は確認できていない。

3D NAND は、データを記録するセルを縦方向に積み重ねることで容量を増やしてきた。層数を増やせば同じ面積により多くのデータを詰め込めるため、1 ビットあたりのコストを下げやすい。インターフェース速度は、メモリチップとコントローラの間でデータをやり取りする速さで、SSD の読み書き性能に効いてくる。

AI 向けのデータセンターでは、学習データや推論時のデータを置くストレージの容量と速度の両方が求められている。密度と速度の両方を高める世代が出てくれば、大容量 SSD の価格や性能の水準を押し上げることになるとみられる。