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SiCウエハーの研磨速度を1.6倍に、ジルコニアゾルで実現する技術
MONOist によると、ジルコニアゾルを用いることで SiC(炭化ケイ素)ウエハーの研磨速度を 1.6 倍にできたという。SiC はパワー半導体の材料として使われるが、硬く加工に時間がかかる素材として知られる。研磨工程の高速化は生産性の向上につながるとみられる。開発した企業名や比較対象、実用化の時期は見出しからは分からない。

MONOist が、SiC ウエハーの研磨速度を 1.6 倍に高めたジルコニアゾルを取り上げた。
入手できているのは見出しのみで、どの企業が開発したのか、何と比べて 1.6 倍なのか、研磨後の表面品質がどうなのかは確認できていない。ジルコニアゾルは研磨材として使われる微粒子の分散液で、研磨液(スラリー)の成分を工夫することで加工速度を引き上げたものとみられる。
SiC は電気自動車や電力変換機器向けのパワー半導体で需要が伸びている一方、非常に硬いため、ウエハーの研磨に時間がかかることが製造コストの一因とされる。研磨速度の改善は、工程時間の短縮を通じてウエハーのコスト低減に寄与しうる。材料や消耗品の改良が半導体の供給力を左右する例として注目したい。
出典 — MONOist
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