Micron、DRAM・NANDの新ロードマップ。High-NA EUV導入へ

メモリ大手の米Micron Technologyが、DRAMとNANDフラッシュの意欲的なロードマップを公表した。米Tom's Hardwareが伝えたところでは、柱は3D NAND、High-NA EUV露光、新材料、そしてカスタムシリコンの復活だという。

見出しから分かるのは、こうした技術要素がロードマップに含まれることまでだ。各技術の導入時期、世代ごとの容量や性能、どの製品にカスタム品を投入するのかといった数値や詳細は、見出しからは確認できない。

技術的に見ると、High-NA EUVはより微細なパターンを描ける次世代の露光技術で、DRAMの微細化を続けるための手段として位置づけられる。3D NANDはセルを縦方向に積み重ねて容量を稼ぐ方式で、層数の増加が競争軸になってきた。新材料は、微細化や積層で生じる電気的な課題を解く手段とみられる。カスタムシリコンについては、AI向けなど特定顧客の要件に合わせたメモリ製品を作り分ける流れを指しているとみられる。

意味合いとしては、汎用品として大量に売るメモリから、用途ごとに作り込むメモリへの転換が進みつつあることを示す内容だ。投資家にとっては、設備投資の方向性と、AI向けの高付加価値品への傾斜を読み取る材料になる。