Infineon、1200V SiCをプリント基板に埋め込み。EVの電力変換向け

Infineonが、耐圧1200VのSiC（炭化ケイ素）パワー半導体をプリント基板（PCB）に埋め込む取り組みを、EV向けとして示した。EE Times Japanが報じた。

今回確認できたのは見出しの範囲である。製品の名称、従来の実装方法と比べた損失や体積の改善幅、量産や出荷の時期、採用する自動車メーカーや部品メーカーは、材料からは分からない。

技術面の背景として、SiCはシリコンに比べて高い電圧や温度に耐え、電力損失を抑えやすい材料で、EVのインバーターなどに使われている。1200Vの耐圧は、高電圧の駆動系を持つEVを想定した水準とみられる。パワー半導体を基板の表面に載せるのではなく基板の内部に埋め込むと、配線を短くして寄生成分を減らしたり、装置を小さくしたりできる可能性がある。ただし、今回の発表でどこまでの効果が示されたかは確認できない。

意味合いとしては、EVの電力変換装置で、半導体そのものの性能だけでなく、実装の仕方で差をつける競争が進んでいることを示す話題である。小型化や効率の改善は、車両の航続距離やコストに直結する。