「世界初」の900V GaN双方向スイッチ、AIデータセンターのSST向け

耐圧900VのGaN（窒化ガリウム）双方向スイッチが「世界初」として発表された。EE Times Japanによれば、AIデータセンターのSST（Solid State Transformer、固体変圧器）向けを想定しているという。

今回の材料は見出しのみで、開発した企業、オン抵抗や損失などの仕様、量産時期、どの範囲で「世界初」としているのかは確認できていない。

双方向スイッチは1つの素子で両方向の電流を制御できるもので、従来は複数の素子を組み合わせていた回路を簡素化できる。GaNはシリコンより高速なスイッチングと低損失が特長で、SSTは従来の大型変圧器を半導体の電力変換で置き換え、小型化と効率化を図る技術だ。

AIデータセンターではラックあたりの電力が急増しており、受電から計算機までの電力変換の効率と設置面積が課題になっている。高耐圧GaNの双方向スイッチは、こうした電源設計の刷新に向けた部品の一つになるとみられる。