住友金属鉱山、12インチSiC基板を開発しサンプル出荷へ。大口径化で前進

MONOistによると、住友金属鉱山は12インチのSiC基板を開発し、サンプル出荷を行う。

入手できた材料は見出しのみで、サンプルの出荷開始時期、出荷先、結晶欠陥の密度など品質を示す指標、製造方法、量産に向けた計画は確認できていない。

SiCは、電力の変換や制御に使うパワー半導体の材料で、シリコンに比べて高い電圧や温度に強く、電力損失を抑えやすい。電気自動車のインバーターや充電設備、再生可能エネルギーの電力変換、データセンターの電源などで採用が広がっている。基板の口径が大きくなると、1枚の基板から取れるチップの数が増え、チップあたりのコストを下げやすくなる。一方で、SiCは結晶を大きく均一に育てるのが難しく、大口径化は技術的な壁が高いとされる。12インチはシリコンの主流の半導体工場と同じ口径にあたるため、既存の製造設備との親和性という点でも注目されるとみられる。