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Tower Semiconductor、日本に40億ドル投資。光半導体を40倍

半導体受託製造のTower Semiconductorと日本政府は、同社の国内拠点に総額約40億ドルを共同投資する。うちTowerが30億ドル、経済産業省が10億ドルを負担する。新潟県新井の休止中の200mm工場を300mmのシリコンフォトニクス・光パッケージング拠点に転換し、富山県魚津市の300mm工場を増産、さらに隣接地に300mm新工場を建てる。2029年に300mmウエハー換算で月4万5000枚、2025年比で約40倍の生産能力を目指す。

半導体のイメージ

Tom's Hardwareによると、Tower Semiconductorと日本政府は、同社の日本拠点を光接続向け半導体の一大製造拠点にするため、総額約40億ドルを共同で投じる。Towerが自己資金で30億ドル、経済産業省が10億ドルを拠出する。計画は2段階で並行して進み、2029年には国内の生産能力を300mmウエハー換算で月4万5000枚、2025年の約40倍に引き上げる。約200人を新たに雇用する予定だ。

第1段階「Track One」では、新潟県の新井にある休止中の200mm工場「Fab 6」を300mmに転換し、シリコンフォトニクス(SiPho)と、電子回路チップ(EIC)と光回路チップ(PIC)を接合する先端光パッケージングの拠点にする。同時に、富山県魚津市の300mm工場「Fab 7」でSiGe EICとSiPho PICの生産を最大限に増やす。Fab 7はすでに65nm級SiGeプロセス「TPS65SG」などや45nm級SiPhoプロセス「TPS45PHD」で量産中で、装置を足すごとに段階的に出力を上げられる。Track Oneは2027年第4四半期の本格稼働を予定し、Towerは2028年度に売上高約36億ドル、純利益12億ドルを見込む。

第2段階「Track Two」では、Fab 7の隣に300mm工場を新設し、EICとPICの生産量を数倍に増やす。2029年から業績に大きく寄与する見通しだ。完成後は、魚津の2拠点で部品を作り、Fab 6で光エンジンに組み立てる体制になる。

背景にはAIインフラでの光接続需要の急拡大がある。報道によると、Towerはサーバー向け光通信半導体の受託生産で80%超のシェアを持ち、Marvellなどを顧客に抱える。一方でTower自身、コパッケージド・オプティクス(CPO)ではIntel、TSMC、GlobalFoundriesが先行していると認めており、今回の投資はCPOへの布石でもある。CPO関連技術は魚津に導入する方針だ。

並行して日本での資本関係も整理される。Towerは2014年にパナソニックと合弁会社TPSCoを設立し、パナソニックの持ち分はその後ヌヴォトン テクノロジージャパンに移った。2026年3月に発表され2027年4月に完了予定の合意で、TowerはFab 7と300mmファウンドリー事業を完全に保有し、ヌヴォトンはTPSCoと砺波のFab 5を引き取る。旧パナソニックの工場群が、AI時代の光半導体拠点として生まれ変わる格好だ。

出典 — Tom's Hardware

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