中国CXMT、第5世代DRAM「G5」を量産。4重露光でダイ容量50%増

中国の DRAM 大手 CXMT が、第5世代の DRAM プロセス技術「G5」による量産を開始した。Tom's Hardware が同社の発表と中国の報道をもとに伝えた。

技術面の柱は微細化だ。CXMT によると、G5 は4重パターニングの露光によって、DRAM の活性領域のハーフピッチを11.95nm に縮めた。ピッチに直すと23.9nm で、この寸法だけを見れば他社の先端的な10nm 級 DRAM と同じ水準にある。また DRAM 向けに最適化した HKMG（高誘電率膜・金属ゲート）プロセスで、セルアレイ部の高さを抑えたという。

もう1つの柱がキャパシターだ。工程の変更と、詳細は明かしていない新材料の導入により、深さと幅の比が約45対1のキャパシターを実現した。幅の45倍の深さがあるということで、セル面積を小さくしてウェハーに多くのメモリーを載せられる。一方で、縦横比が高いほどエッチングや成膜、構造の強度の確保が難しくなり、高い歩留まりでの量産は難度が増す。SK hynix は、DRAM の寸法が10nm を下回る段階では、この比が100対1を超える必要があるとしている。

G5 の最初の量産品は24Gb の LPDDR5X で、同社の従来品より容量が50％多く、用途に応じて2種類のパッケージで提供する。中国の報道によれば、すでに中国の主力スマートフォンに採用され始めている。

ただし留保点は多い。11.95nm は活性領域のハーフピッチで、一般的なプロセスノードの呼び名ではない。開示された2つの寸法だけでは、Micron、Samsung、SK hynix の最新プロセスと肩を並べたとは言えない。密度や消費電力、そして汎用品で最も重要な歩留まりが分からないからだ。G4 よりウェハーあたりのダイ数が50％以上増えるとするが、具体的な数字も歩留まりも示していない。それでも、11.95nm 級を掲げる DRAM の量産開始は、中国のメモリー産業にとって1つの到達点だ。