中国CXMT、3D NANDの開発ラインを計画か。DRAM専業から拡大の報道

中国のDRAM最大手CXMT（長鑫存储）が、3D NANDフラッシュの生産を視野に入れていると報じられた。関係者3人の話によると、北京近郊の第2工場に3D NANDの研究開発ラインを設ける計画だという。第2工場はまだ着工しておらず、ラインの稼働は少なくとも2〜3年先とみられる。北京に設けた研究所でも、NANDフラッシュの開発をテーマの一つにしているという。CXMTは正式に認めておらず、情報は割り引いて受け止める必要がある。

アーキテクチャ、積層数、製造プロセス、性能、生産能力といった技術の中身は、まだ何も分かっていない。ただ、CXMTは見込み客とNANDの計画について既に話し合っているとされる。その一つは最近設立された企業で、CXMT製のNANDをAIやスーパーコンピューター向けのストレージ製品に使う計画だという。

実現すれば、DRAMの専業だったCXMTが、3D NANDで成功してきたYMTCの領域に入ることになる。一方でYMTCもDRAMの生産を検討していると報じられており、中国の2大メモリーメーカーがともに、Micron、Samsung、SK hynixのようにDRAMとNANDの両方を手がける方向に向かっている。

ただ、事業として見ると合理性は高くない。CXMTは今年上半期に224億1000万ドルの売上高と115億7000万ドルの純利益を計上し、長い赤字を抜け出した。それでも大手3社よりは小さく、既に技術、工場、顧客を持つDRAMで伸ばす余地は大きい。AI需要を考えれば、戦略的な価値の高いDRAM製品に経営資源を集める理由もある。3D NANDはDRAMとは製造技術、ノウハウ、装置がまったく違い、汎用品に近い製品でもある。

それでも計画が進むとすれば、背景には政府の意向があるとみられる。CXMTは合肥市政府の資金で設立され、上場時点で合肥市が37％を持っていた。国の半導体ファンド（大基金）の支援も受けており、政府が経営判断に影響を与えうる立場にある。CXMTを国内で2社目の3D NANDメーカーに育てることは、中国の半導体の自給方針に合っている。実際に競争力のある製品を作れるかは、また別の問題だ。